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HCT802TX

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A,1.1A 供应商设备包装: 6-SMD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 欧普泰克 (TT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥774.75853
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥774.76
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规格参数

  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大功率 500mW
  • 包装/外壳 6-SMD, No Lead
  • 制造厂商 欧普泰克 (TT)
  • 漏源电压标 (Vdss) 90V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A,1.1A
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 1A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70皮法 @ 25V
  • 供应商设备包装 6-SMD

HCT802TX 产品详情


HCT802在密封陶瓷表面安装封装中提供N沟道和P沟道MOS晶体管。所使用的设备类似于行业标准2N6661 N信道设备和VP1008 P信道设备。这两种增强型MOSFET特别适合VDS、IDS(开启)、RDS(开启)和Gfs。

特色


•6垫表面安装组件
•VDS=90V
•RDS(开启)<5W
•ID(on)N通道=1.5A P通道=1.1A
•为VDS、ID(开启)和RDS(开启)相似性选择了两个设备
•完整的TX处理可用
•镀金触点

HCT802TX所属分类:场效应晶体管阵列,HCT802TX 由 欧普泰克 (TT) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HCT802TX价格参考¥774.758527,你可以下载 HCT802TX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HCT802TX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

欧普泰克 (TT)

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TT Electronics是性能关键应用工程电子产品的全球供应商。它与工业、航空航天和国防、医疗和运输领域的市场领先客户合作。TT Electronics总部位于英国沃金,拥有近5000名员工,业务遍...

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