9icnet为您提供由IXYS设计和生产的FMM65-015P,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FMM65-015P参考价格为1.07美元。IXYS FMM65-015P封装/规格:MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5。您可以下载FMM65-015P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FMM60-02TF是MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC,包括HiPerFET?系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.229281盎司,提供安装式功能,如通孔,包装盒设计用于i4 Pac-5,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该设备采用ISOPLUS i4 PAC?供应商设备包,该设备具有2 N沟道(双)FET型,最大功率为125W,漏极到源极电压Vdss为200V,输入电容Cis-Vds为3700pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为33A,最大Rds Id Vgs为40mOhm@30A,10V,Vgs th最大Id为4.5V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为90nC@10V,Pd功耗为125W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为75ns,上升时间为46ns,Vgs栅极-源极电压为30V,Id连续漏极电流为33A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Vgs第h栅极-源阈值电压为4.5V,Rds导通漏极-源极电阻为40mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为75ns,典型接通延迟时间为39ns,Qg栅极电荷为90nC,正向跨导Min为40S。
FMM5822VY,带有EUDYNA制造的用户指南。FMM5822VY在模块包中提供,是模块的一部分。
FMM5832VY,电路图由FUJISTU制造。FMM5832VY在模块包中提供,是模块的一部分。