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PMDPB70EN，115是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-DFN2020（2x2）以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作510mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供130pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.5A，最大Id Vgs的Rds为57 mOhm@3.5A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为4.5nC@10V。
PMDPB65UP，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于70 mOhm@1A，4.5V，提供520mW等功率最大功能，包装设计用于Digi ReelR，以及6-UDFN暴露焊盘包装盒，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供380pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为3.5A。
带有NXP制造的电路图的PMDPB70EN。PMDPB70EN在DFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
