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TC6321T-V/9U

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 供应商设备包装: 8-VDFN (6x5) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3300

数量 单价 合计
3300+ 10.75570 35493.83310
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.75571
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥35,493.83
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大功率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 导通电阻 Rds(ON) 7欧姆 @ 1A, 10V, 8欧姆 @ 1A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1毫安时2V,1毫安时2.4V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时110华氏度,25伏时200华氏度
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度
  • 供应商设备包装 8-VDFN (6x5)

TC6321T-V/9U 产品详情

TC6321T-V/9U源自TC6320,具有高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但提供了热增强型5mm x 6mm DFN,具有更好的热传递和更高的工作范围,达到175°C。这两个MOSFET都集成了栅到源电阻器和栅到源齐纳二极管钳位器,这是高压脉冲发生器应用所需的。它是一种互补的、高速、高压、GATE钳位N沟道和P沟道MOSFET对,利用了先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特色

  • 源自TC6320
  • 热增强5mm x 6mm DFN
  • 额定温度175°C
  • 集成栅极到源极电阻器
  • 集成栅极到源齐纳二极管
  • 低阈值
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速切换速度
  • 无二次击穿
  • 低输入和输出泄漏
  • 独立、电隔离的N和P通道
TC6321T-V/9U所属分类:场效应晶体管阵列,TC6321T-V/9U 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TC6321T-V/9U价格参考¥10.755707,你可以下载 TC6321T-V/9U中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TC6321T-V/9U规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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