TC6321T-V/9U源自TC6320,具有高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET,但提供了热增强型5mm x 6mm DFN,具有更好的热传递和更高的工作范围,达到175°C。这两个MOSFET都集成了栅到源电阻器和栅到源齐纳二极管钳位器,这是高压脉冲发生器应用所需的。它是一种互补的、高速、高压、GATE钳位N沟道和P沟道MOSFET对,利用了先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 源自TC6320
- 热增强5mm x 6mm DFN
- 额定温度175°C
- 集成栅极到源极电阻器
- 集成栅极到源齐纳二极管
- 低阈值
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
- 独立、电隔离的N和P通道