9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5515CDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5515CDC-T1-GE3参考价格为0.87000美元。Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8。您可以下载SI5515CDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5515CDC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5515CDC E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，功率最大值为3.1W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为632pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs为36 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为800mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为11.3nC@5V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns 6 ns，上升时间为9 ns 32 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极导通电阻为30mOhms 83mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为30ns 25ns，典型接通延迟时间为7ns 10ns，沟道模式为增强型。
SI5513DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如75 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有6nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A、2.1A。
SI5515CDC，带有VISHAY制造的电路图。SI5515CDC采用1206-8vs-8封装，是FET阵列的一部分。
