9icnet为您提供由IXYS设计和生产的GMM3X120-0075X2-SMDSAM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GMM3X120-0075X2-SMDSAM参考价格$2.024。IXYS GMM3X120-0075X2-SMDSAM封装/规格：MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD。您可以下载GMM3X120-0075X2-SMDSAM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GMM36DTMT-S664带有引脚细节，包括黑色，设计用于托盘包装，数据表注释中显示了用于焊料的终端，其工作温度范围为-65°C~125°C，安装类型设计用于通孔、直角以及磷青铜触点材料，该设备也可作为金触点饰面。此外，接触面厚度为30μIn（0.76μm），装置有72个位置，装置节距为0.156”（3.96mm），排数为2，性别为女性，接触类型为环形波纹管，卡厚度为0.125”（3.18mm），法兰特征为平齐安装、顶部开口、螺纹插入件、4-40，并且卡类型是非指定的-双边缘，并且位置间隔行的数量是36。
带有用户指南的GMM3X100-01X1-SMD，包括4.5V@1mA Vgs th Max Id，其设计为与24-SMD供应商设备包一起工作。数据表中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供了24-SMD、鸥翼等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作90nC@10V栅极电荷Qg-Vgs。此外，FET类型为6 N沟道（3相桥），该器件采用标准FET功能，该器件具有100V漏极到源极电压Vdss，25°C的电流连续漏极Id为90A。
GMM3X100-01X1-SMDSAM是MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD，包括90A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于90nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，包装盒为24-SMD，鸥翼，该设备采用管交替包装包装，该设备具有24-SMD的供应商设备包装，Vgs th Max Id为4.5V@1mA。
