9icnet为您提供由IXYS设计和生产的GMM3X160-0055X2-SMD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GMM3X160-0055X2-SMD参考价格为29.936美元。IXYS GMM3X160-0055X2-SMD封装/规格：MOSFET 6N-CH 55V 150A 24-SMD。您可以下载GMM3X160-0055X2-SMD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GMM3X100-01X1-SMD，带引脚细节，包括管交替封装，设计用于24-SMD鸥翼封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于24-SMD以及6 N通道（3相桥）FET类型，该器件还可以用作100V漏极到源极电压Vdss。此外，FET功能是标准的，该器件提供90A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有4.5V@1mA Vgs th Max Id，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V。
GMM3X100-01X1-SMDSAM是MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD，包括4.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与24-SMD供应商设备包一起工作。数据表中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供了24-SMD、鸥翼等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），除了表面安装型外，该器件还可以用作90nC@10V栅极电荷Qg Vgs。此外，FET类型为6 N沟道（3相桥），该器件采用标准FET功能，该器件具有100V漏极到源极电压Vdss，25°C的电流连续漏极Id为90A。
GMM3X120-0075X2-SMDSAM是MOSFET 6N-CH 75V 110A 24-SMD，包括110A电流连续漏极Id 25°C，设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于115nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，封装外壳为24-SMD，鸥翼，该器件采用管式封装，该器件具有24-SMD的供应商器件封装，Vgs th Max Id为4V@1mA。
