9icnet为您提供由IXYS设计和生产的VWM350-0075P,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VWM350-0075P参考价格为94.598美元。IXYS VWM350-0075P封装/规格:MOSFET 6N-CH 75V 340A V2。您可以下载VWM350-0075P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如VWM350-0075P价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VWM270-0075X2是MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK,包括散装封装,它们设计用于与V2-PAK封装盒一起工作,其工作温度范围为-40°C ~ 175°C(TJ),提供安装型功能,如底盘安装,供应商设备包设计用于V2-PAK以及6 N通道(三相桥)FET型,该器件还可以用作75V漏极到源极电压Vdss。此外,FET功能是标准的,该器件提供270A电流连续漏极Id 25°C,该器件具有2.1 mOhm@100A,10V Rds On Max Id Vgs,Vgs th Max Id为4V@500μa,栅极电荷Qg Vgs为360nC@10V。
VWM200-01P是MOSFET 6N-CH 100V 210A V2,包括4V@2mA Vgs和最大Id,它们设计用于与V2-PAK供应商设备包一起工作,最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示,用于5.2 mOhm@100A,10V,提供散装等封装特性,包装箱设计用于V2-PAK,其工作温度范围为-40°C ~ 175°C(TJ),该装置也可以用作通孔安装型。此外,栅极电荷Qg Vgs为430nC@110V,该器件为6 N沟道(3相桥)FET型,该器件具有FET特性标准,漏极到源极电压Vdss为100V,电流连续漏极Id 25°C为210A。
VWLAN7102EB,带有SYCHIP制造的电路图。VWLAN7102EB采用SMDPB封装,是IC芯片的一部分。