9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1016X-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1016X-T1-E3价格参考1.392美元。Vishay Siliconix SI1016X-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SOT563F。您可以下载SI1016X-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1016CX-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000289盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-563、SOT-666包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为SC-89-6，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为220mW，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为43pF@10V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为396 mOhm@500mA，4.5V，Vgs th Max Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为2nC@4.5V，Pd功耗为220 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为11 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第h栅极-源极端电压为0.4 V至1 V-0.4 V至-1 V，Rds漏极-源极电阻为330mOhms 630mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为0.75nC 1 nC，正向跨导最小值为2S1S，沟道模式为增强。
带有用户指南的SI1015-C-GM2R，包括1.8 V~3.6 V电源，它们设计为与TxRx+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于0.9 V的最小电源电压，提供3.6 V等最大电源电压功能，系列设计用于SI1015，以及I2C、SPI、UART串行接口，该设备还可以用作-121dBm灵敏度。此外，RF系列标准为通用ISM，该设备采用EZRadioPro协议提供，该设备具有程序存储器类型的闪存，程序存储器大小为8kB，处理器系列为SI101x，功率输出为13dBm，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为42-VFLGA暴露垫，其工作温度范围为-40°C~85°C，工作电源电压为0.9 V至3.6 V，工作频率为240 MHz至960 MHz，定时器数量为4个定时器，ADC通道数量为1，安装方式为SMD/SMT，调制方式为FSK、GFSK、OOK，最小工作温度范围为-40 C，内存大小为8kB闪存、768B RAM，最大工作温度范围+85 C，最大时钟频率为25MHz，接口类型为I2C SPI UART，GPIO为15，频率为240MHz～960MHz，数据速率最大值为256kbps，数据RAM类型为RAM，数据RAM大小为768 B，数据总线宽度为8位，电流传输为17mA～30mA，电流接收为18.5mA，核心为8051，ADC分辨率为10位。
SI1015-C-GM2是IC RF TXRX+MCU ISM，包括18.5mA电流接收，它们设计用于17mA ~ 30mA电流传输，数据速率最大值显示在数据表注释中，用于256kbps，提供240MHz ~ 960MHz等频率特性，GPIO设计用于15，以及8kB闪存、768B RAM内存大小，该设备还可以用作FSK、GFSK、，OOK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备采用42-VFLGA裸露衬垫封装盒，该设备具有托盘交替封装，功率输出为13dBm，协议为EZRadioPro，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-121dBm，串行接口为I2C、SPI、UART，类型为TxRx+MCU，电源电压为1.8V~3.6V。
