9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1023X-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1023X-T1-E3参考价格为0.786美元。Vishay Siliconix SI1023X-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F。您可以下载SI1023X-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1023CX-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供SOT-563、SOT-666等封装外壳功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SC-89-6供应商设备包中提供，该设备具有2个P信道（双）FET类型，最大功率为220mW，晶体管类型为1个P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为45pF@10V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为756 mOhm@350mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@4.5V，晶体管极性为P沟道。
SI1023X，带有VISHAY制造的用户指南。SI1023X采用SOT-563封装，是FET阵列的一部分。
SI1023X-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1023X-T1采用SOT-463封装，是FET阵列的一部分。
