9icnet为您提供由IXYS设计和生产的GMM3X60-015X2-SMDSAM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GMM3X60-015X2-SMDSAM参考价格为94.312美元。IXYS GMM3X60-015X2-SMDSAM封装/规格：MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD。您可以下载GMM3X60-015X2-SMDSAM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GMM3X60-015X2-SMD是MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD，其中包括GMM3X60-015X2系列，它们设计用于托盘替代包装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供商标特征，如ISOPLUS-DIL，包装盒设计用于ISOPLUSDIL？，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备采用ISOPLUS-DIL？供应商设备包，该设备具有三相全桥配置，FET类型为6 N沟道（3相桥），漏极至源极电压Vdss为150V，输入电容Ciss Vds为5800pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为50A，最大Id Vgs为24mOhm@38A，10V，Vgs最大Id为4.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为97nC@110V，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为24 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为120ns，Qg栅极电荷为97nC。
GMM3X180-004X2-SMD是MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD，包括4.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与24-SMD供应商设备包一起工作。数据表中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供了24-SMD、鸥翼等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件还可以用作110nC@110V栅极电荷Qg Vgs。此外，FET类型为6 N沟道（3相桥），该器件提供标准FET功能，该器件具有40V漏极到源极电压Vdss，25°C的电流连续漏极Id为180A。
GMM3X180-004X2-SMDSAM是MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD，包括180A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于110nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，包装盒为24-SMD，鸥翼，该设备采用管交替包装包装，该设备具有24-SMD的供应商设备包装，Vgs th Max Id为4.5V@1mA。
