9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1029X-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1029X-T1-E3参考价格为2.338美元。Vishay Siliconix SI1029X-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 60V SOT563F。您可以下载SI1029X-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1028X-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷盘（TR）封装，数据表说明中显示了SOT-563、SOT-666中使用的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为SC-89-6，该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为220mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为16pF@15V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为650 mOhm@500mA，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为2nC@10V，晶体管极性为N沟道。
SI1027-B-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括1.8 V ~ 3.8 V电源，它们设计为与TXRX+MCU类型一起工作，数据表注释中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供了-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计为在通用ISM以及EZRadioPro协议中工作，该设备也可以用作13dBm（最大）功率输出。此外，该包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为16kB闪存，4.4kB RAM，GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大值为256kbps，电流传输为17mA~30mA，电流接收为18.5mA。
SI1029X-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。SI1029X-T1采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET N/P-CH 60V 0.305A 6引脚SC-89 T/R。
