TC7920K6-G由12引线DFN封装中的两对高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。所有MOSFET都集成了高电压脉冲发生器应用所需的输出漏极高压二极管、栅极到源极电阻器和栅极到源齐纳二极管钳。互补、高速、高压、栅极箝位N沟道和P沟道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。这些器件具有所有MOS结构的特点,不会出现热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速的开关速度。
特色
- 高压垂直DMOS技术
- 集成漏极输出高压二极管
- 集成栅极到源极电阻器
- 集成栅源齐纳二极管
- 低阈值,低导通电阻
- 低输入和输出电容
- 快速切换速度
- 电隔离N型和P型MOSFET对