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TC7920K6-G

  • 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 12-DFN(4x4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3300

数量 单价 合计
3300+ 14.18159 46799.27340
  • 库存: 0
  • 单价: ¥13.90637
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥46,799.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大功率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@1毫安
  • 场效应管类型 2个N和2个P通道
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 52皮法 @ 25V
  • 包装/外壳 12-VFDFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 12-DFN(4x4)

TC7920K6-G 产品详情

TC7920K6-G由12引线DFN封装中的两对高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。所有MOSFET都集成了高电压脉冲发生器应用所需的输出漏极高压二极管、栅极到源极电阻器和栅极到源齐纳二极管钳。互补、高速、高压、栅极箝位N沟道和P沟道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。这些器件具有所有MOS结构的特点,不会出现热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速的开关速度。

特色

  • 高压垂直DMOS技术
  • 集成漏极输出高压二极管
  • 集成栅极到源极电阻器
  • 集成栅源齐纳二极管
  • 低阈值,低导通电阻
  • 低输入和输出电容
  • 快速切换速度
  • 电隔离N型和P型MOSFET对
TC7920K6-G所属分类:场效应晶体管阵列,TC7920K6-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TC7920K6-G价格参考¥13.906368,你可以下载 TC7920K6-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TC7920K6-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...

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