9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4590DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4590DY-T1-GE3参考价格为1.00000美元。Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL。您可以下载SI4590DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4569DY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为3.1W、3.2W，该器件提供40V漏极到源极电压Vdss，该器件具有855pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为7.6A、7.9A，Rds On Max Id Vgs为27mOhm@6A、10V，Vgs th Max Id为2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V。
SI4569DY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如27 mOhm@6A、10V，Power Max设计用于3.1W、3.2W以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有855pF@20V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为7.6A，7.9A。
SI4569DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4569DY采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
