9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1903DL-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1903DL-T1-E3参考价格为0.946美元。Vishay Siliconix SI1903DL-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6。您可以下载SI1903DL-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1902DL-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为270mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为660mA，最大Id Vgs的Rds为385mOhm@660mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.2nC@4.5V，Pd功耗为270mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为700 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为385 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI1903DL和Six制造的用户指南。SI1903DL在SOT-363封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI1903DL-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.41A 6引脚SC-70 T/R。SI1903DL-T1采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH Si 20V 0.41A 6引脚SC-70 T/R。
