特色
- N沟道增强型MOSFET
- 用30:1 VSWRTesdtedc在所有相位角100%测试负载不匹配
- 便于手动增益控制、ALC和调制技术
- 优异的热稳定性;理想的A级操作套件
- 150 MHz、28 Vdc时的保证性能:输出功率=125 W,最小增益=9.0 dB,效率=50%(最小值)
- 低噪声系数-3.0 dB(典型值),2.0 A,150 MHz
- 航空航天与国防
- 伊斯兰主义
应用
- 最小频率:5 MHz
- 增益:9 dB
- 效率:50%
- 磅:125 W
- 最大频率:200 MHz
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 464.55960 | 464.55960 |
20+ | 436.37386 | 8727.47722 |
40+ | 422.29728 | 16891.89140 |
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