9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STAC2932F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STAC2932F参考价格85.25000美元。STMicroelectronics STAC2932F封装/规格：TRANS RF PWR N-CH STAC244F。您可以下载STAC2932F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STAC2932BW是RF MOSFET晶体管300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch，包括STAC2932系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于STAC244B，以及Si技术，该设备也可以在175MHz增益下用作20dB。此外，输出功率为300 W，器件提供625 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为250 MHz，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为125 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为5S。
STAC1011-350带有用户指南，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于80 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及STAC1011系列，该装置也可用作1.44kW Pd功率耗散。此外，包装为管式，设备采用STAC265B-3封装盒，设备输出功率为350W，工作频率为1.03 GHz至1.09 GHz，信道数为1信道，安装方式为螺旋式，最大工作温度范围为+200 C，Id连续漏电流为2 uA，增益为15 dB。
STAC150V2-350E是RF MOSFET晶体管RF PWR晶体管40.68 MHz 700V，包括17 dB增益，它们设计为在1 uA Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及40.68 MHz工作频率，该设备也可以用作500W输出功率。此外，封装外壳为STAC177B，该器件采用散装封装，该器件具有STAC150V2系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极电压为20V。
STAC250V2-500E，带EDA/CAD型号，包括STAC177B封装盒，设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供RF功率MOSFET、晶体管极性设计用于N沟道以及散装封装等类型功能，该器件也可用于900 V Vds漏极-源极击穿电压。此外，输出功率为500W，器件的工作频率为27MHz，器件的增益为23dB，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1uA，最大工作温度范围为+150C。
