9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的NE3512S02-T1C-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。NE3512S02-T1C-A参考价格为0.60000美元。Renesas Electronics America Inc NE3512S02-T1C-A封装/规格：小信号N通道MOSFET。您可以下载NE3512S02-T1C-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE3512S02-A是RF JFET晶体管C至Ku波段超低噪声放大器N-Ch，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于S0-2封装盒，数据表说明中显示了用于GaAs的技术，该GaAs提供晶体管类型的功能，如HFET，增益设计用于13.5dB，以及165 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+125℃。此外，工作频率为12 GHz，器件提供70 mA Id连续漏极电流，器件具有4 V的Vds漏极-源极击穿电压，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为55 mS，Vgs栅极-源击穿电压为-3 V，栅极-源极截止电压为4V，NF噪声系数为0.35dB。
NE3511S02-T1C-A是RF JFET晶体管SUPER低噪声伪morpHIc HJ FET，包括-3 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在4 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表中显示了用于HFET的晶体管类型，该HFET提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，该设备还可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为S0-2，器件工作频率为12 GHz，器件噪声系数为0.3 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为70 mA，增益为13.5 dB，正向跨导最小值为65 mS。
NE3512S02，电路图由NEC制造。NE3512S02采用TO-50封装，是IC芯片的一部分。
