9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STAC2932FW，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STAC2932FW参考价格96.25000美元。STMicroelectronics STAC2932FW封装/规格：TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B。您可以下载STAC2932FW英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STAC2932BW是RF MOSFET晶体管300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch，包括STAC2932系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于STAC244B，以及Si技术，该设备也可以在175MHz增益下用作20dB。此外，输出功率为300 W，器件提供625 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为250 MHz，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为125 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为5S。
STAC150V2-350E是RF MOSFET晶体管RF PWR晶体管40.68 MHz 700V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及STAC150V2系列中工作，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为STAC177B，器件输出功率为500 W，器件工作频率为40.68 MHz，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1 uA，增益为17 dB。
STAC250V2-500E带有电路图，包括23 dB增益，设计用于在1 uA Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装型功能，工作频率设计为27 MHz，输出功率为500 W，该设备也可作为STAC177B封装盒使用。此外，封装为散装，器件采用Si技术，器件具有N沟道晶体管极性，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
