9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的NE3503M04-T2B-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。NE3503M04-T2B-A参考价格为0.76000美元。Renesas Electronics America Inc NE3503M04-T2B-A封装/规格：小信号N通道MOSFET。您可以下载NE3503M04-T2B-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE3503M04-T2-A是AMP HJ-FET 12GHZ M04，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于FTSMM-4（M04），提供GaAs等技术特性，晶体管类型设计用于HFET，以及12 dB增益，该器件还可以用作125 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+125℃，器件的工作频率为12 GHz，器件具有70 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为4 V，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为55 mS，Vgs栅极-源击穿电压为-3 V，NF噪声系数为0.45 dB。
NE3503M04-T2是NEC制造的AMP HJ-FET 12GHZ M04。NE3503M04-T2采用SOT-343F封装，是RF FET的一部分，支持AMP HJ-FET 12GHZ M04。
NE3503M04-T2B，带有NEC制造的电路图。NE3503M04-T2B采用SOT343封装，是IC芯片的一部分。
