9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的NE3511S02-T1C-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。NE3511S02-T1C-A参考价格为0.77000美元。Renesas Electronics America Inc NE3511S02-T1C-A封装/规格：小信号N通道MOSFET。您可以下载NE3511S02-T1C-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE3510M04-A是RF JFET晶体管L-S波段低无放大器，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于FTSMM-4（M04）封装盒，数据表说明中显示了用于GaAs的技术，该GaAs提供晶体管类型功能，如HFET，增益设计为工作在16dB，以及125mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，工作频率为4 GHz，器件提供97 mA Id连续漏极电流，器件具有4 V Vds漏极-源极击穿电压，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为70 mS，Vgs栅极-源极电压为-3 V，栅源截止电压为-0.7V，NF噪声系数为0.45dB，P1dB压缩点为11dBm。
NE3510M04-T2-A是RF JFET晶体管L-S波段低无放大器，包括-3 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在4 V Vds漏极-源极间击穿电压下工作。数据表中显示了用于HFET的晶体管类型，该HFET提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于GaAs，以及125 mW Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为FTSMM-4（M04），器件提供11 dBm P1dB压缩点，器件工作频率为4 GHz，NF噪声系数为0.45 dB，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为97 mA，增益为16 dB，正向跨导最小值为70 mS。
NE3511S02-A是RF JFET晶体管X至Ku波段超低噪声放大器N-Ch，包括65 mS正向跨导最小值，它们设计为以13.5 dB增益工作，数据表注释中显示了用于-0.7 V的栅极-源极截止电压，提供了70 mA等Id连续漏极电流特性，其最大工作温度范围为+125 C，除了SMD/SMT安装类型外，该器件还可以用作0.3 dB NF噪声系数。此外，工作频率为12 GHz，该器件采用S0-2封装盒，该器件具有165 mW的Pd功耗，技术为GaAs，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为HFET，Vds漏极-源极击穿电压为4 V，Vgs栅极-源极击穿电压为-3V。
