9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STAC2933，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STAC2933参考价格为113.75000美元。STMicroelectronics STAC2933封装/规格：MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B。您可以下载STAC2933英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STAC1011-350带有引脚细节，包括STAC1011系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于管中，提供安装类型功能，如螺钉，包装盒设计为在STAC265B-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，增益为15dB，器件提供350W输出功率，器件具有1.44kW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+200 C，工作频率为1.03 GHz至1.09 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为2 uA，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，并且晶体管极性是N沟道。
STAC150V2-350E是RF MOSFET晶体管RF PWR晶体管40.68 MHz 700V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及STAC150V2系列中工作，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为STAC177B，器件输出功率为500 W，器件工作频率为40.68 MHz，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1 uA，增益为17 dB。
STAC250V2-500E带有电路图，包括23 dB增益，设计用于在1 uA Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装型功能，工作频率设计为27 MHz，输出功率为500 W，该设备也可作为STAC177B封装盒使用。此外，封装为散装，器件采用Si技术，器件具有N沟道晶体管极性，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
STABP01D是IC处理器数字BASH 20SOIC，包括管封装，它们设计用于串行接口。数据表说明中显示了用于数字音频接口的应用程序，提供了BashR等系列功能。功能设计用于音频信号处理器，以及20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件也可以用作20-SO供应商器件封装，其工作温度范围为-20°C~85°C（TA），该器件提供10.5V电压供应，该器件具有1个通道。
