9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD20010TR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD20010TR-E参考价格为219.968美元。STMicroelectronics PD20010TR-E封装/规格：TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM。您可以下载PD20010TR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PD20010S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.，包括PD20010-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计为在PowerSO-10RF（直引线）以及Si技术中工作，该器件也可以用作11dB增益。此外，输出功率为10 W，该器件提供59 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为2 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD20010-E是RF MOSFET晶体管功率R.F.，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作59W Pd功率耗散。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件输出功率为10W，工作频率为2GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5A，增益为11dB。
PD20010STR-E是RF MOSFET晶体管RF功率转换器LdmoST N通道，包括11 dB增益，它们设计为以5 a Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为2 GHz，以及10 W输出功率，该设备也可以用作PowerSO-10RF（直引线）封装盒。此外，封装为Reel，该器件提供59 W Pd功耗，该器件具有PD20010-E系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极电压为15 V。
