9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85015TR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85015TR-E价格参考329.5308美元。STMicroelectronics PD85015TR-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD85015TR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85015S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，包括PD85015-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线）-4，以及Si技术，该设备也可以在870MHz增益下用作16dB。此外，输出功率为15W，器件提供59W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，并且晶体管极性是N沟道。
PD85015STR-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD85015-E系列，该器件也可以用作59W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，设备采用PowerSO-10RF（直引线）-4封装盒，设备输出功率为15W，工作频率为1GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5A，在870MHz时增益为16dB。
PD85015-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，在870 MHz增益下包括16 dB，它们设计为在5 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作15W输出功率。此外，封装外壳为PowerSO-10RF（成型引线）-4，器件采用管封装，器件具有59W的Pd功耗，系列为PD85015-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为15V。
