9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57045TR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57045TR-E的参考价格为48.12500美元。STMicroelectronics PD57045TR-E封装/规格：FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF。您可以下载PD57045TR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57018STR-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.，包括PD57018-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在945MHz增益下用作16.5dB。此外，输出功率为18 W，器件提供31.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，漏极-源极电阻Rds为760mOhms，晶体管极性为N沟道。
PD57018TR-E是RF MOSFET晶体管功率R.F.，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD57018-E系列，该器件也可以用作760mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为31.7 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有封装外壳的PowerSO-10RF（成型引线），输出功率为18 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.5A，增益为16.5dB。
PD57030S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.，在945 MHz增益下包括14 dB，它们设计为在4 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作30W输出功率。此外，封装外壳为PowerSO-10RF（直引线），器件采用管封装形式，器件具有52.8W的Pd功耗，系列为PD57030-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为65V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V。
PD57030-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料N Ch，包括管封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供RF功率MOSFET等类型功能，封装外壳设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及PD57030-E系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，器件提供52.8 W Pd功耗，器件具有4 a的Id连续漏极电流，输出功率为30 W，945 MHz时的增益为14 dB，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-65℃。
