9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85035STR1-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85035STR1-E参考价格为53.642美元。STMicroelectronics PD85035STR1-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD85035STR1-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85035S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.N-Ch Trans，包括PD85035-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在870MHz增益下用作14.9dB。此外，输出功率为35W，器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅源电压为15 V，Id连续漏电流为8 A，Vds漏源击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD85035C是RF MOSFET晶体管RF功率转换器。LDMOST系列，包括15 V Vgs栅极-源极电压，设计用于40 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si以及PD85035C系列，该器件也可用作108 W Pd功耗。此外，该封装是散装的，该器件采用M243封装盒，该器件的输出功率为35 W，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为8 a，945 MHz时的增益为14.5 dB。
PD85035-E是由ST制造的TRANS RF POWER LDMOST N-CH。PD85035-E采用PowerSO-10RF暴露底部衬垫（2个成型引线）封装，是RF FET的一部分，并支持TRANS RF POWER LDMOST N-CH、RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 17dB 15W PowerSO-10F（成型引线）、TRANS RF Mosfet N-CH 40V 8A 3引脚PowerSO-10R（成型引线管）。
