9icnet为您提供由Broadcom Limited设计和生产的VMMK-1218-TR1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VMMK-1218-TR1G参考价格为55.028美元。Broadcom Limited VMMK-1218-TR1G封装/规格：FET RF 5V 10GHZ 0402。您可以下载VMMK-1218-TR1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VMM90-09F是MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI，包括HiPerFET？系列，它们设计用于功率半导体模块产品，类型如数据表注释所示，用于双功率HiPerFET模块，提供散装等封装功能，安装方式设计用于螺旋式，其工作温度范围为-40℃至+150℃，该设备也可用作Y3 Li封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有供应商设备包Y3 Li，FET类型为2 N通道（双），漏极到源极电压Vdss为900V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为85A，最大Id Vgs的Rds为76mOhm@65A，10V，Vgs th Max Id为5V@30mA，栅极电荷Qg Vgs为960nC@10V，Vf正向电压为1.1V。
VMM85-02F是MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4，包括4V@8mA Vgs th Max Id，它们设计为与Y4供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HiPerFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如25 mOhm@500mA，10V，Power Max设计为370W，以及散装封装，该设备也可以用作Y4封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有15000pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为450nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为200V，电流连续漏极Id为25°C，为84A。
VMM90-09P带有电路图，请联系技术支持团队了解更多VMM90-09 P信息。
VMM85-02FS，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。VMM85-02FS在模块包中提供，是模块的一部分。
