该器件是一个共源N沟道增强型横向场效应RF功率MOSFET。它设计用于高增益、宽带商业和工业应用。它在频率高达1GHz的公共电源模式下工作在28V。该器件具有ST最新LDMOS技术的卓越增益、线性和可靠性,该技术安装在第一个真正的SMD塑料RF功率封装PowerSO-10RF中。该设备优越的线性性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO-10塑料封装旨在提供高可靠性,是首个经ST JEDEC批准的高功率SMD封装。它专门针对射频需求进行了优化,具有优异的射频性能和易于组装。安装建议可在www.st.com/rf/中找到(请查看应用注释AN1294)。
特色
- 优异的热稳定性
- 公共源配置
- 撅嘴=60Wwith14.3dBgain@945MHz/28伏
- 新RF塑料包装