9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55035-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55035-E参考价格为206.28844美元。STMicroelectronics PD55035-E封装/规格：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD55035-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD55025-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料N Ch，包括PD55025-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线）以及Si技术，该设备也可以在500MHz增益下用作14.5dB。此外，输出功率为25W，器件提供79W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD55025TR-E是RF MOSFET晶体管RF功率传输N沟道，包括40 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于12.5 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及PD55025-E系列，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为PowerSO-10RF-2，该器件的输出功率为25W，器件的工作频率为500MHz，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+165 C，Id连续漏电流为7A，增益为14.5dB。
PD5502A，带有PIONEER制造的电路图。PD5502A采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
