9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57002S-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57002S-E价格参考137.293734美元。STMicroelectronics PD57002S-E封装/规格：FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10。您可以下载PD57002S-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57002-E是RF MOSFET晶体管POWER RF晶体管，包括PD57002-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及Si技术，该设备也可以在960MHz增益下用作15dB。此外，输出功率为2 W，器件提供4.75 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为0.25 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD55HB80，带有SANREX制造的用户指南。PD55HB80在模块包中提供，是模块的一部分。
PD57002是由ST制造的RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 960MHz 15dB 2W 10 PowerSO。PD57002以so-10rf封装形式提供，是模块的一部分，并支持RF Mosfet NMOS 28V 10mA 960MHz 15 dB 2W 10PowerSO。
PD57002S带有ST制造的EDA/CAD模型。PD57002S以SO-11RF封装形式提供，是模块的一部分。
