9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57006S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57006S的参考价格为96.88美元。STMicroelectronics PD57006S封装/规格：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10。您可以下载PD57006S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57006-E是RF MOSFET晶体管RF POWER TRANS，包括PD57006-E系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及Si技术，该设备也可以在945MHz增益下用作15dB。此外，输出功率为6 W，器件提供20 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为1 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为0.58S。
PD57002-E是RF MOSFET晶体管功率RF晶体管，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作4.75W Pd功耗。此外，封装为管状，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件具有2 W的输出功率，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为0.25 a，增益在960MHz时为15dB。
带有ST制造的电路图的PD57002S。PD57002S以SO-11RF封装形式提供，是模块的一部分。
PD57006带有ST制造的EDA/CAD模型。PD57006以模块包形式提供，是模块的一部分。
