9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计生产的NE3509M04-T2-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。NE3509M04-T2-A参考价格为0.83000美元。Renesas Electronics America Inc NE3509M04-T2-A封装/规格：小信号N通道MOSFET。您可以下载NE3509M04-T2-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE3509M04-A是RF JFET晶体管L至S波段低噪声放大器N-Ch HJFET，包括SMD/SMT安装型，它们设计用于FTSMM-4（M04）封装盒，数据表说明中显示了在GaAs中使用的技术，该GaAs提供晶体管类型功能，如HFET，增益设计为工作在17.5 dB，以及150 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃。此外，工作频率为2 GHz，器件提供60 mA Id连续漏极电流，器件具有4 V的Vds漏极-源极击穿电压，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为80 mS，Vgs栅极-源击穿电压为-3 V，栅源截止电压为-0.5V，NF噪声系数为0.4dB，P1dB压缩点为11dBm。
NE3509M04-EVNF24-A是EVAL DEV RF NE3509M94，包括FET类型，它们设计用于与NE3509E04工具一起工作，用于评估，提供的内容如数据表注释所示，用于提供评估板等产品功能的板，频率设计用于1 GHz至6 GHz，以及NE3509N04用于相关产品。
NE3509M04-T2，电路图由NEC/RENES制造。NE3509M04-T2采用SOT-343封装，是RF FET的一部分。
