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MRFE6S9125NR1

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 66 V 频率: 880MHz 输出端功率: 27W 供应商设备包装: TO-270 WB-4
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,385.66633
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,385.67
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 包装/外壳 至270AB
  • 供应商设备包装 TO-270 WB-4
  • 频率 880MHz
  • 额定电压 66 V
  • 电流检测值 950毫安
  • 增益 20.2分贝
  • 输出端功率 27W

MRFE6S9125NR1 产品详情

MRFE6S9125NR1和MRFE6S9125NBR1设计用于频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用。这些器件的高增益和宽带性能使其成为28伏基站设备中大信号、共源放大器应用的理想选择。

特色

    N-CDMA应用
  • 800 MHz时的典型单载波N-CDMA性能,VDD=28伏,IDQ=950 mA,Pout=27瓦平均值,IS-95 CDMA(导频、同步、寻呼、业务代码8至13)信道带宽=1.2288 MHz。CCDF上的标准杆数=9.8 dB@0.01%概率。功率增益:20.2 dB漏极效率:31%ACPR@750 kHz偏移:–45.7 dBc,30 kHz带宽
  • 能够处理10:1 VSWR,@32 Vdc,880 MHz,3 dB Overdrive,专为增强建议而设计。
  • GSM EDGE应用
  • 典型GSM EDGE性能:VDD=28伏,IDQ=700mA,Pout=60瓦平均值,全频带(865-960 MHz或920-960 MHz)功率增益:20 dB漏极效率:400 kHz偏移时40%频谱重新增长=–63 dBc 600 kHz偏移时频谱重新增长=-78 dBcEVM:1.8%rms
  • GSM应用
  • 典型GSM性能:VDD=28伏,IDQ=700mA,Pout=125瓦,全频段(920-960 MHz)功率增益:19 dB漏极效率:62%
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 集成ESD保护
  • 225°C塑料包装
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。

MRFE6S9125NR1所属分类:场效应射频晶体管,MRFE6S9125NR1 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRFE6S9125NR1价格参考¥1385.666331,你可以下载 MRFE6S9125NR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRFE6S9125NR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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