9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD20015C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD20015C参考价格为62.62000美元。STMicroelectronics PD20015C封装/规格：FET RF 40V 2GHZ M243。您可以下载PD20015C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PD20010STR-E是RF MOSFET晶体管RF功率转换器LdmoST N通道，包括PD20010-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以用作11dB增益。此外，输出功率为10 W，器件提供59 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为2 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，晶体管极性为N沟道。
PD20010TR-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LdmoST N通道，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N通道，技术设计用于Si，以及PD20010-E系列，该器件也可以用作59W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用PowerSO-10RF（成型引线）封装盒，该器件输出功率为10 W，工作频率为2 GHz，安装方式为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为5 a，增益为11 dB。
PD20012，带有NIEC制造的电路图。PD20012在模块包中提供，是模块的一部分。
