9icnet为您提供由onsemi设计和生产的STB4N80ET4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB4N80ET4参考价格为1.32000美元。onsemi STB4N80ET4包装/规格：NFET D2PAK SPCL 800V TR。您可以下载STB4N80 ET4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STB3NK60ZT4是MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK，包括STB3NK60 Z系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有45W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为1.8S，沟道模式为增强。
STB3NB60T4带有ST制造的用户指南。STB3NB60 T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
STB3NC60，带有ST制造的电路图。STB3NC60TO-263封装，是IC芯片的一部分。
STB3NK50ZT4带有由IR制造的EDA/CAD模型。STB3NK50 ZT4采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
