9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57070S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57070S参考价格$44.291。STMicroelectronics PD57070S封装/规格：FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10。您可以下载PD57070S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57060S-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料系列，包括PD57060-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在945MHz增益下用作14.3dB。此外，输出功率为60W，器件提供79W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为65V，并且晶体管极性是N沟道。
PD57060-E是RF功率MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料Fam，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于65 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，该器件也可以用作79W Pd功率耗散。此外，封装为管状，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件输出功率为60W，工作频率为1GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 a，在945MHz时增益为14.3dB。
PD57060TR-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料Fam，在945 MHz增益下包括14.3 dB，它们设计为在7 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作60W输出功率。此外，封装外壳为PowerSO-10RF（成型引线），器件采用卷筒封装，器件具有79 W的Pd功耗，系列为PD57060-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V。
PD57070-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料N Ch，包括管封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供RF功率MOSFET等类型功能，封装盒设计用于PowerSO-10RF（成型铅），以及PD57070-E系列，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，Pd功耗为95W，器件输出功率为70W，器件具有7A的Id连续漏电流，Vds漏极-源极击穿电压为65V，945MHz时增益为14.7dB，工作频率为1GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-65℃。
