9icnet为您提供由其他公司设计和生产的IRFAE30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFAE30的参考价格为5.14000美元。其他IRFAE30封装/规格：N通道HERMETIC MOS HEXFET。您可以下载IRFAE30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF9Z34STRLPBF是MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为58 ns，上升时间为120 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2 V至-4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为140 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20 ns，典型接通延迟时间为18 ns，Qg栅极电荷为34 nC，正向跨导最小值为5.9 S，并且信道模式是增强。
IRF9Z34STRRPBF是MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为120 ns，器件的漏极-源极电阻为140 mOhms，Pd功耗为3.7 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为58 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9Z44N，电路图由IOR制造。IRF9Z44N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRFA9010具有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFA901采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
