NXP MRF1K50GNR5和MRF1K550GNR5 1500W RF功率晶体管结合了高RF输出功率、优异的耐用性和热性能。这些LDMOS器件采用包覆成型塑料封装,与陶瓷MRF1K50H相比,热阻降低了30%。恩智浦的塑料封装技术有助于提高RF晶体管的性能,同时由于更严格的尺寸公差和更好的焊接连接,简化了放大器的可制造性。NXP MRF1K50GNR5和MRF1K550GNR5 RF功率晶体管设计用于在50V下提供1.50kW CW,并减少大功率RF放大器中的晶体管数量。这些设备的输入和输出设计允许从1.8到500MHz的宽频率范围使用。
特色
- 高漏源雪崩能量吸收能力
- 无与伦比的输入和输出,允许宽频率范围的利用
- 设备可以单端或推拉配置使用
- 特点为30至50 V,便于使用
- 适用于线性应用
- 集成ESD保护,具有更大的负栅源电压范围,以改善C级操作
- 符合RoHS
- 推荐驱动器:MRFE6VS25N(25 W)
热门应用程序
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光生成
- 等离子蚀刻
- 粒子加速器
- MRI、透热、皮肤激光和消融
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 广播
- 航空航天
- 甚高频全向信标(VOR)
- 高频和甚高频通信
- 气象雷达
- 移动无线电