9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD84010-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD84010-E参考价格为54.902美元。STMicroelectronics PD84010-E封装/规格：FET RF 40V 870MHZ。您可以下载PD84010-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PD84008-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LdmoST N通道，包括PD84008-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计为在PowerSO-10RF（成型引线）-4中工作，该设备也可以在870MHz增益下用作14.7dB。此外，输出功率为8 W，器件提供79 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD84008L-E是TRANS RF POWER LDMOST N-CH，包括15 V Vgs栅极-源极电压，设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD84008L-E系列，该器件也可以用作26.7W Pd功耗。此外，包装为卷轴式，该器件采用PowerFLAT（5x5）封装盒，该器件的输出功率为8 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7 a，870 MHz时的增益为13 dB。
PD84006L-E是RF MOSFET晶体管RF功率传输LDmoST塑料，在870 MHz增益下包括13 dB，它们设计为在5 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作6W输出功率。此外，封装外壳为PowerFLAT（5x5），器件采用卷筒封装，器件具有31 W的Pd功耗，系列为PD84006L-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极电压为15 V。
