9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的SD56150，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SD56150参考价格$78.91。STMicroelectronics SD56150封装/规格：FET RF 65V 860MHZ M252。您可以下载SD56150英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SD5610-001是Detector OPTOSCHMITT TO-46，包括光电IC传感器产品，它们设计为与光电检测器一起工作，逻辑输出型，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于TO-46-3透镜顶部金属罐，其工作温度范围为-40°C~100°C（TA），该设备也可以用作开路集电极输出类型。此外，信道数为1信道，该设备提供935nm波长，最大工作温度范围为+100℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电压为4.5 V至16 V，工作电源电流为12 mA至15 mA，下降时间为15 ns，上升时间为60 ns，传播延迟时间为5 us，低电平输出电压为0.4V。
SD56120是RF MOSFET晶体管N-Ch 65伏14安培，包括+/-20伏Vgs栅极-源极电压，它们设计用于65伏Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及SD56120系列，该器件也可以用作217W Pd功率耗散。此外，包装为管式，器件采用M246封装盒，器件输出功率为100 W，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为14 a，860 MHz时的增益为14 dB，并且正向跨导Min为3S。
SD56120M是RF MOSFET晶体管N-Ch 65伏14安培，包括3 S正向跨导最小值，它们设计为在860 MHz增益下以13 dB工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于14 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1GHz工作频率。此外，输出功率为120 W，器件采用M252封装盒，器件具有封装管，Pd功耗为236 W，系列为SD56120，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V。
SD56120MK，带有ST制造的EDA/CAD模型。SD56120M可在MODULE包中获得，是模块的一部分。
