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NE5531079A-A是射频MOSFET晶体管7.5Volts 460MHz LDMO，包括射频功率MOSFET类型，它们设计用于批量封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如79A，技术设计用于Si，以及20.5 dB增益，该器件也可以用作40 dBm输出功率。此外，Pd功耗为35 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，工作频率为460 MHz，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.15 V，并且晶体管极性是N沟道。
NE552R479A-EVPW24是EVAL BOARD NE552R479 a，包括FET类型，它们设计用于与板提供的内容一起工作，与相关产品一起使用，如数据表注释所示，用于NE552R479.a。
NE552R679A-X，电路图由UPC制造。NE552R679A-X采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
