特色
- 高级高性能封装Doherty
- 专为宽瞬时带宽应用而设计
- 更大的负栅源电压范围，可改善C类操作
- 能够承受极高的输出VSWR和宽带操作条件
- 设计用于数字预失真误差校正系统
- 符合RoHS
A3T18H455W23SR6
- 描述:晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 10A. 频率: 1.805GHz～1.88GHz 输出端功率: 192瓦 供应商设备包装: ACP-1230S-4L2S
- 品牌: 恩智浦 (NXP)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 150
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 150+ | 1301.55202 | 195232.80405 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1,301.55203
-
数量:
- +
- 总计: ¥195,232.80
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 额定电流（单位：安培） 10A.
- 噪声系数 -
- 额定电压 65 V
- 制造厂商 恩智浦 (NXP)
- 电压检测值 30伏
- 电流检测值 600 mA
- 晶体管类别 LDMOS（双）
- 频率 1.805GHz～1.88GHz
- 包装/外壳 ACP-1230S-4L2S
- 供应商设备包装 ACP-1230S-4L2S
- 增益 16.7分贝
- 输出端功率 192瓦
A3T18H455W23SR6 产品详情
A3T18H360W23SR6 63 W非对称Doherty RF功率LDMOS晶体管专为蜂窝基站应用而设计，该应用需要非常宽的瞬时带宽能力，覆盖1805至1880 MHz的频率范围。
A3T18H455W23SR6 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| A3T10 | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 1~10皮法 额定电压: 250伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 面板安装 调整类型: 顶端 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥519.49366 |
| A3T10HV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 1~10皮法 额定电压: 1000伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 面板安装 调整类型: 顶端 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥231.14157 |
| A3T10L | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 1~10皮法 额定电压: 250伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 面板安装 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥236.26764 |
| A3T10LHV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 1~10皮法 额定电压: 1000伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 面板安装 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥838.40127 |
| A3T21H360W23SR6 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: LDMOS（双） 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 10A. 频率: 2.11GHz～2.2GHz 输出端功率: 328W 供应商设备包装: ACP-1230S-4L2S | ¥1,013.99637 |
| A3T18H408W24SR3 | 恩智浦 (NXP) | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | ¥1,088.91555 |
| A3T18H360W23SR6 | 恩智浦 (NXP) | 晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流（单位：安培）: 10A. 频率: 1.8GHz~1.88GHz 输出端功率: 63W 供应商设备包装: ACP-1230S-4L2S | ¥1,111.92081 |
| A3T4GF40BBF-HP | 暂无 | ¥33.90348 | |
| A3T1GF40CBF-HP | 存储器构架(格式)：SDRAM DDR3 存储容量：1Gbit | ¥27.63985 | |
| A3T2GF40CBF-HP | 暂无 | ¥16.5734 |
恩智浦 (NXP)
NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商，为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合，包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新，为工业和汽车应用提供强大的电源...
