9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBFJ212，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MMBFJ212参考价格为54.147152美元。onsemi MMBFJ212包装/规格：JFET N-CH 25V 40MA SOT23。您可以下载MMBFJ212英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBFJ202是JFET N-CH 40V 350MW SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计为在0.002116盎司单位重量的情况下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为350mW，该器件具有40V的电压击穿电压V BRGSS，电流漏极Idss Vds Vgs=0为900μa@20V，电压截止Vgs关断Id为800mV@10nA，Pd功耗为350 mW，晶体管极性为N沟，Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V，栅极-源极截止电压为-4V。
MMBFJ211是IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23，包括-25 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在0.002116盎司单位重量下工作。数据表中显示了JFET中使用的晶体管类型，该JFET提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及225 mW Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SOT-23，其工作温度范围为-55 C至+150 C，该器件具有安装型SMD/SMT，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C、最大漏极-栅极电压为25 V，Id连续漏极电流为20 mA，栅极-源极截止电压为-4.5 V，并且正向跨导Min为0.006S至0.012S，并且配置为Single。
MMBFJ203是JFET N-CH 40V 350MW SOT23，包括4mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于N沟道FET型，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能。封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及350MW最大功率，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，电压击穿V BRGSS为40V，该设备提供2V@10nA电压切断VGS关闭Id。
MMBFJ210是由FAIRCHILD制造的IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23。MMBFJ210有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是RF FET的一部分，支持IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23、RF Mosfet N沟道JFET SOT-23-2、Trans FET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R。
