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MRF6VP3450HR5

  • 描述:晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 110伏 频率: 860MHz 输出端功率: 90W 供应商设备包装: NI-1230
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1442.71325 1442.71325
  • 库存: 4
  • 单价: ¥1,442.71325
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    - +
  • 总计: ¥1,442.71
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电压检测值 50 V
  • 晶体管类别 LDMOS(双)
  • 包装/外壳 NI-1230
  • 供应商设备包装 NI-1230
  • 频率 860MHz
  • 额定电压 110伏
  • 增益 22.5分贝
  • 输出端功率 90W
  • 电流检测值 1.4 A

MRF6VP3450HR5 产品详情

MRF6VP3450HR6、MRF6VP345 0HSR6、MRF6VP 3450HR5和MRF6VP34.50HSR5设计用于频率从470到860 MHz的宽带商业和工业应用。这些器件的高增益和宽带性能使其成为50伏模拟或数字电视发射机设备中大信号、共源放大器应用的理想选择。

特色

  • 典型DVB-T OFDM性能:VDD=50伏,IDQ=1400毫安,Pout=平均90瓦,f=860 MHz,8K模式,64 QAM功率增益:22.5 dB漏极效率:28%ACPR@4 MHz偏移:–62 dBc@4 kHz带宽
  • 典型宽带双音性能:VDD=50伏,IDQ=1400 mA,Pout=450瓦PEP,f=470-860 MHz功率增益:22 dB漏极效率:44%IM3:–29 dBc
  • 能够处理10:1 VSWR,所有相位角,@50 Vdc,860 MHz:450 Watts CW90 Watts Avg.(DVB-T OFDM信号,10 dB标准杆数,7.61 MHz信道带宽)
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多50 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 设计用于推拉操作
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R6后缀=每56 mm,13英寸卷筒150个单位。R5后缀=每56mm,13英尺卷筒50个单位。
注:零件为推拉式
MRF6VP3450HR5所属分类:场效应射频晶体管,MRF6VP3450HR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF6VP3450HR5价格参考¥1442.713251,你可以下载 MRF6VP3450HR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF6VP3450HR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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