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MRFE6VP61K25HSR5是MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S，包括MRFE6VP71K25H系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.299419盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及NI-1230S封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，增益为24 dB，器件提供1250 W输出功率，器件具有1333 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为1.8 MHz 600 MHz，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为10 uA，Vds漏极-源极击穿电压为133 V，并且第Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，并且晶体管极性为N沟道。
MRFE6VP61K25HR6是RF MOSFET晶体管VHV6 1.25KW ISM NI1230H，包括2.2 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于133 V，提供单位重量功能，如0.352740盎司，类型设计用于RF功率MOSFET，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MRFE6VP61K25H，该器件提供1333 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为NI-1230，输出功率为1250 W，工作频率为1.8 MHz 600 MHz，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为10 uA，增益为24 dB。
带有电路图的MRFE6VP61K25NR6，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
