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MRF6VP2600HR5

  • 描述:晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 110伏 频率: 225兆赫 输出端功率: 125瓦 供应商设备包装: NI-1230
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 487
  • 单价: ¥2,306.50151
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,306.50
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 过时的
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电压检测值 50 V
  • 晶体管类别 LDMOS(双)
  • 包装/外壳 NI-1230
  • 供应商设备包装 NI-1230
  • 频率 225兆赫
  • 额定电压 110伏
  • 输出端功率 125瓦
  • 增益 25分贝
  • 电流检测值 2.6 A

MRF6VP2600HR5 产品详情

MRF6VP2600HR6主要用于频率高达500MHz的宽带应用。该设备无与伦比,适合在广播应用中使用。

特色

  • 典型DVB-T OFDM性能:VDD=50伏,IDQ=2600 mA,Pout=125瓦平均值,f=225 MHz,信道带宽=7.61 MHz,输入信号标准杆数=9.3 dB@0.01%CCDF概率。功率增益:25 dB漏效率:28.5%ACPR@4 MHz偏移:-61 dBc@4 kHz带宽
  • 典型脉冲性能:VDD=50伏,IDQ=2600 mA,Pout=600瓦峰值,f=225 MHz,脉冲宽度=100µsec,占空比=20%功率增益:25.3 dB漏极效率:59%
  • 能够处理10:1 VSWR,@50 Vdc,225 MHz,600瓦峰值功率,脉冲宽度=100µsec,占空比=20%
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 具有足够冷却的CW运行能力
  • 最多50 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 设计用于推拉操作
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R6后缀=每56 mm、13英寸卷筒150个单位。
注:零件为推拉式
MRF6VP2600HR5所属分类:场效应射频晶体管,MRF6VP2600HR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF6VP2600HR5价格参考¥2306.501505,你可以下载 MRF6VP2600HR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF6VP2600HR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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