9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD20015S-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD20015S-E参考价格为106.7322美元。STMicroelectronics PD20015S-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD20015S-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD20010TR-E是RF MOSFET晶体管RF功率转换器LdmoST N通道，包括PD20010-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷轴，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及Si技术，该设备也可以用作11dB增益。此外，输出功率为10 W，器件提供59 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为2 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，晶体管极性为N沟道。
PD20012和NIEC制造的用户指南。PD20012在模块包中提供，是模块的一部分。
PD20015C是由ST制造的“RF MOSFET晶体管N-Ch”。PD2001/5C采用M243封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“RF MOSFET晶体管N-Ch、RF MOSFET LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W M243、Trans RF MOSFET N-Ch 40V 7A 3引脚外壳M-243松脱、RF MOSFET三极管N-Ch、13.6V 15W LDMOST系列”。
PD20015-E是由ST制造的“RF MOSFET晶体管N-Ch”。PD20015-E采用PowerSO-10RF（成型引线）封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“RF MOSFET晶体管N-Ch、RF MOSFET LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W PowerSO-10射频（成型引线，13.6V 15W LDMOST系列。
