ARF442

N沟道增强型射频功率MOSFET

ARF442和ARF443包括一对对称的RF功率晶体管，设计用于窄带推挽式商业、医疗和工业RF功率放大器应用。

•规定的100伏、13.56 MHz特性：
•输出功率=200瓦。
•增益=22dB（典型值）
•效率=73%（典型值）
•低成本公共源射频包。
•非常高的断裂强度，以提高耐用性。
•低热阻。
•氮化钝化模具，提高可靠性。