9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4949EY-T1_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4949EY-T1_BE3价格参考1.69000美元。Vishay Siliconix SQ4949EY-T1_BE3封装/规格：MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC。您可以下载SQ4949EY-T1_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4946AEY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC，包括SQ系列系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQ4946AEY-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可以用作SO-8封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供2信道信道数，该器件具有双重配置，晶体管类型为2 N信道，Pd功耗为4 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.1 ns，上升时间为3.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.4ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为11.7nC，并且正向跨导Min为15S。
SQ4946EY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如55mOhm@4.5A，10V，功率最大设计为2.4W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有30nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SQ4949EY-T1_GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供TrenchFET等商标功能。
SQ4949DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQ4949DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
