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MSC017SMA120S

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 -
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)

MSC017SMA120S 产品详情

Microsemi SiC肖特基势垒二极管(SBD)提供了优于传统硅功率二极管的动态和热性能。SiC(碳化硅)势垒二极管由硅(Si)和碳(C)组成。与纯硅器件相比,SiC器件提供了更大的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。SiC肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,这减少了二极管开关损耗。这些设备还提供独立于温度的开关,确保稳定的高温性能。
MSC017SMA120S所属分类:场效应晶体管阵列,MSC017SMA120S 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MSC017SMA120S价格参考¥303.187794,你可以下载 MSC017SMA120S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MSC017SMA120S规格参数、现货库存、封装信息等信息!

微芯 (Microchip)

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